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IRLSL3034PBF备选型号: AUIRFSL8408
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
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- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
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MOSFET N-CH 40V 195A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-262195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle375W65 nsN-Channel1.7mOhm @ 195A, 10V2.5V @ 250μA10315pF @ 25V162nC @ 4.5V827ns40V±20V355 ns195A20V40V10.315nF1.7mOhm1.7 mΩ9.65mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准----------
-----175°C-----1 (Unlimited)------------------------符合RoHS标准NOEAR99未说明compliant未说明SingleN-CHANNEL195AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR294W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262 | 对比 |
| IRFSL7434PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | 对比 |
| IRL3803LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 | 对比 |
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