IRLSL4030PBF备选型号: IRFSL3107PBF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.3Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    370W
    74 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 110A, 10V
    2.5V @ 250μA
    11360pF @ 50V
    130nC @ 4.5V
    330ns
    ±16V
    170 ns
    180A
    16V
    100V
    2.5 V
    9.652mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 195A TO262
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    40
    -
    增强型MOSFET
    370W
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 140A, 10V
    4V @ 250μA
    9370pF @ 50V
    240nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    100 ns
    230A
    20V
    75V
    -
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    900A
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