IRLU3110ZPBF备选型号: IRLU120NPBF

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 38A, 10V
    2.5V @ 100μA
    3980pF @ 25V
    48nC @ 4.5V
    110ns
    ±16V
    48 ns
    42A
    2.5V
    16V
    100V
    250A
    100V
    2.5 V
    6.1mm
    6.6mm
    2.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    35ns
    ±16V
    22 ns
    10A
    2V
    16V
    100V
    -
    100V
    2 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    185mOhm
    雪崩 额定
    100V
    10A
    85 mJ
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