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IRS2003PBF备选型号: MIC4423ZN

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 长度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 接口IC类型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • Infineon Technologies
    IRS2003PBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    IRS2003PBF
    2
    20V
    600mA
    15V
    270μA
    1W
    130mA
    270μA
    820 ns
    Inverting, Non-Inverting
    680 ns
    170ns
    90 ns
    150 ns
    70ns 35ns
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4423ZN
    Microchip Technology
    Driver 3A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin PDIP
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    0°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    4.5V~18V
    DUAL
    2
    -
    MIC4423
    2
    -
    3A
    -
    2mA
    -
    3A
    -
    75 ns
    Inverting
    75 ns
    23ns
    35 ns
    -
    28ns 32ns
    Independent
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    0.1 μs
    3A
    NO
    0.1 μs
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