IRS21171STRPBF备选型号: IRS2124STRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 最大输出电流
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 输入类型
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  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IC DRIVER HI SIDE SGL 600V 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    IRS21171SPBF
    不合格
    600mA
    625mW
    230 ns
    Non-Inverting
    230 ns
    130ns
    65 ns
    75ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Single
    1
    0.2 μs
    0.2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    -
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2124SPBF
    不合格
    500mA
    -
    240 ns
    Inverting
    240 ns
    200ns
    200 ns
    80ns 80ns
    基于半桥的mosfet驱动器
    Single
    1
    240 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    -
    600V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    YES
    240 μs
    无铅
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