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IRS2118PBF备选型号: FAN7390N

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IRS2118PBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    2.54mm
    IRS2118PBF
    1
    620V
    600mA
    340μA
    1W
    290mA
    340μA
    200 ns
    Inverting
    125 ns
    130ns
    65 ns
    105 ns
    75ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Single
    0.2 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAN7390N
    ON Semiconductor
    IC DRIVER GATE HI/LO SIDE 8-DIP
    -
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.25W
    10V~22V
    -
    -
    -
    -
    FAN7390
    -
    -
    4.5A
    -
    1.25W
    -
    -
    200 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    50ns
    50 ns
    -
    25ns 20ns
    -
    Independent
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    4.5A 4.5A
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    851mg
    2
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