IS42S16320B-7TLI备选型号: IS43R16320D-6TLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 页面尺寸
- 刷新周期
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 端子表面处理
- HTS代码
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16320B-7TLI - SDRAM, IND, 32M X 16, 3V, 54TSOP254-TSOP (0.400, 10.16mm Width)表面贴装表面贴装Tin54VolatileTray-40°C~85°C TAe3yesObsolete3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm10543.3V3.6V3V512Mb 32M x 161150mA150mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b32MX163-STATE15b512 Mb0.004ACOMMON64MB819210.16mm22.22mm1mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------
- DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)表面贴装表面贴装-66VolatileTray-40°C~85°C TAe3yes活跃3 (168 Hours)66EAR99AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VDUAL26012.5V0.65mm40662.5V2.7V2.3V512Mb 32M x 161370mA370mA166MHz700psDRAMParallel16b32MX163-STATE15b512 Mb0.025ACOMMON-8192-22.22mm-无SVHC无ROHS3 Compliant-8 Weeks哑光锡8542.32.00.281615ns2482481.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S86400D-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II | 对比 | |
![]() | MT46V32M16P-5B:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP | 对比 |
| IS42S86400D-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip SDRAM 512Mbit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II | 对比 |



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