IS42S16400J-7B2LI备选型号: IS45S16400J-7BLA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 反向引脚排列
- 自我刷新
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz SDR SDRAM6 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)60EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM13.3V0.65mm603.3V3.6V3V64Mb 4M x 16190mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b4MX163-STATE1614b64 MbCOMMON40961248FP1248NOYES10.1mm1.2mm无ROHS3 Compliant
- IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA8 Weeks-表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~105°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH-3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm543.3V3.6V3V64Mb 4M x 16190mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b4MX163-STATE1614b64 MbCOMMON40961248FP1248NOYES8mm1.2mm无ROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE4M16ALL-70BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | PSRAM Async 1 64M-Bit 4M x 16 70ns 48-Pin FBGA | 对比 |


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