IS42S16800F-7BLI备选型号: IS65WV12816BLL-55BLA3
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 字长
- 128M, 3.3V, Sdram, 8MX16, 143MHZ, 54 Ball BGA (8MMX8MM) Rohs, It6 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161100mASYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE1614b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant----------
- SRAM 2M (128Kx16) 55ns Async SRAM10 Weeks-表面贴装48-TFBGA48Volatile-40°C~125°C TATray活跃3 (168 Hours)48--2.5V~3.6VBOTTOM13V0.75mm48不合格3.3V3.6V2.5V2Mb 128K x 16130mA---SRAMParallel--3-STATE1617b2 Mb0.000065ACOMMON---8mm-ROHS3 CompliantYESe1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2601055ns55 nsAsynchronous16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C34098A-10BINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM | 对比 |
| CY62147EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-48 | 对比 | |
| AS7C34098A-10BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM | 对比 |



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