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IS42S32200E-6TL备选型号: IS45S32200L-7TLA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- HTS代码
- 资历状况
- 操作模式
- 内存宽度
- 筛选水平
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP IITin表面贴装表面贴装86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)86Volatile0°C~70°C TATraye3yesObsolete3 (168 Hours)86EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VDUAL26013.3V0.5mm40863.3V3.6V3V64Mb 2M x 321160mA160mA166MHz5.5nsDRAMParallel32b2MX323-STATE13b64 Mb0.002ACOMMON40961.05mm22.42mm10.29mm无符合RoHS标准无铅----------- DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM--表面贴装86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)86Volatile-40°C~105°C TATray--活跃3 (168 Hours)86EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VDUAL-13.3V0.5mm-863.3V3.6V3V64Mb 2M x 321--143MHz5.4nsDRAMParallel32b2MX323-STATE11b64 Mb0.002ACOMMON4096-22.22mm--ROHS3 Compliant-8 WeeksYES8542.32.00.02不合格SYNCHRONOUS32AEC-Q1001248FP12481.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS45S32400F-6TLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDR SDRAM | 对比 |
| IS42S32400F-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II | 对比 |
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