IS42S32400F-7BL-TR备选型号: IS42S32200L-7BLI
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 工作电源电压
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 功能数量
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGAYES90Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)903V~3.6VBOTTOM3.3V0.8mm不合格3.3V128Mb 4M x 32143MHz5.4nsDRAMParallel32b4MX323-STATE3212b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP1248ROHS3 Compliant-------------
- DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGA-90Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)903V~3.6VBOTTOM3.3V0.8mm不合格3.3V64Mb 2M x 32143MHz5.4nsDRAMParallel32b2MX323-STATE3213b64 Mb0.002ACOMMON40961248FP1248ROHS3 Compliant表面贴装EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.021903.6V3V190mASYNCHRONOUS13mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS45S32400F-6BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS45S32400F-7BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 128M (4Mx32) 143MHz SDR SDRAM 3.3v | 对比 | |
![]() | MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology Inc. | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA | 对比 |



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