IS42S32800D-7BLI备选型号: IS42S32200L-6BLI
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- HTS代码
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7BLI SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 90BGA表面贴装90-TFBGAYES90Volatile-40°C~85°C TATraye1yesObsolete3 (168 Hours)90EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM26010.8mm40不合格3.3V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel8MX32320.003A268435456 bitCOMMON3.6V3V40961248FP124813mm1.2mm8mm符合RoHS标准--------
- DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA表面贴装90-TFBGA-90Volatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)90EAR99-AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM-10.8mm-不合格-64Mb 2M x 321SYNCHRONOUS166MHz5.4nsDRAMParallel2MX32320.002A-COMMON3.6V3V40961248FP124813mm1.2mm-ROHS3 Compliant8 Weeks表面贴装100mA8542.32.00.0232b3-STATE13b64 Mb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S32400F-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32160D-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |


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