IS42VM16800G-75BLI备选型号: IS42VM16160K-75BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 资历状况
- 电源
- 操作模式
- 达到SVHC
- DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile55mA-40°C~85°C TATrayDiscontinued3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH, ALSO OPERATES AT 2.5V, 1.8V SUPPLY1.8VBOTTOM10.8mm128Mb 8M x 161133MHz6nsDRAMParallel16b8MX163-STATE1612b128 Mb0.00001ACOMMON3.6V2.7V40961248FP12488mm1.2mm无ROHS3 Compliant------
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR-表面贴装54-TFBGA54Volatile--40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54-PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.8VBOTTOM10.8mm256Mb 16M x 161133MHz6nsDRAMParallel16b16MX163-STATE16--0.00001ACOMMON1.95V1.7V81921248FP12488mm1.2mm-ROHS3 Compliant12 WeeksYES不合格1.8VSYNCHRONOUS无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR16320C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 | |
| IS42RM16800G-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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