IS42VM32200M-75BLI备选型号: IS42VM16160K-75BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- 资历状况
- 电源
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 达到SVHC
- IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA12 Weeks表面贴装90-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明R-PBGA-B901.95V1.7V64Mb 2M x 321SYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel2MX323267108864 bit13mm1.2mm8mmROHS3 Compliant-----------
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR12 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54-PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM-11.8V0.8mm--1.95V1.7V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel16MX1616-8mm1.2mm-ROHS3 Compliant54不合格1.8V16b3-STATE0.00001ACOMMON81921248FP1248无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42VM16400M-75BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA | 对比 | |
| IS42VM16400M-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA | 对比 |


哦! 它是空的。