IS42VM32800K-75BLI备选型号: IS43TR82560BL-15HBL

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    256Mb 8M x 32
    1
    120mA
    SYNCHRONOUS
    133MHz
    6ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    8MX32
    3-STATE
    32
    12b
    2 Gb
    0.0003A
    COMMON
    4096
    48
    48
    13mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.35V 78-Pin TWBGA
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    78-TFBGA
    78
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    -
    1.35V
    1.45V
    1.283V
    2Gb 256M x 8
    1
    -
    ASYNCHRONOUS
    667MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    -
    256MX8
    -
    8
    15b
    2 Gb
    -
    -
    -
    -
    -
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    15ns
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