IS42VM32800K-75BLI备选型号: IS43TR82560BL-15HBL
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 写入周期时间 - 字符、页面
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR12 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM11.8V0.8mm不合格1.8V1.95V1.7V256Mb 8M x 321120mASYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel32b8MX323-STATE3212b2 Gb0.0003ACOMMON4096484813mm1.2mmROHS3 Compliant无铅--
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.35V 78-Pin TWBGA8 Weeks-表面贴装78-TFBGA78Volatile0°C~95°C TCTray活跃3 (168 Hours)78AUTO/SELF REFRESH1.283V~1.45VBOTTOM11.35V0.8mm-1.35V1.45V1.283V2Gb 256M x 81-ASYNCHRONOUS667MHz20nsDRAMParallel-256MX8-815b2 Gb-----10.5mm1.2mmROHS3 Compliant-YES15ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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