IS43DR16640B-25DBLI备选型号: IS46DR16640B-3DBLA1
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 环境温度范围高
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 筛选水平
- 座位高度(最大)
- 无铅
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640B-25DBLI - SDRAM, DDR2, 1GBIT, 1.8V, 84BGA8 Weeks表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)84EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.7V~1.9VBOTTOM11.8V0.8mm1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161240mA400MHz400psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.015ACOMMON85°C819248481.2mm12.5mm无SVHC无ROHS3 Compliant---
- DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)84EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.7V~1.9VBOTTOM11.8V0.8mm1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161220mA333MHz450psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.015ACOMMON-81924848-12.5mm-无ROHS3 CompliantAEC-Q1001.2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43DR81280B-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM | 对比 |
![]() | IS43DR81280B-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM | 对比 |




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