IS43DR16640B-25DBLI-TR备选型号: IS46DR16640B-25DBLA2
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 功能数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 地址总线宽度
- 密度
- 筛选水平
- 长度
- 座位高度(最大)
- DRAM 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v8 WeeksYES84-TFBGA表面贴装84VolatileTape & Reel (TR)-40°C~85°C TA活跃3 (168 Hours)841.7V~1.9VBOTTOM1.8V0.8mm不合格1.8V1Gb 64M x 16110mA400MHz400psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns0.015A1073741824 bitCOMMON81924848ROHS3 Compliant----------------
- DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks-84-TFBGA表面贴装84VolatileTray-40°C~105°C TA活跃3 (168 Hours)841.7V~1.9VBOTTOM1.8V0.8mm不合格-1Gb 64M x 16-400MHz400psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns0.015A-COMMON81924848ROHS3 Compliant表面贴装EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.3211.8V1.9V1.7V1240mASYNCHRONOUS16b1 GbAEC-Q10012.5mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR86400C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | 对比 | |
| IS43DR16160B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM | 对比 |



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