IS43LD32320A-3BL备选型号: IS43LD16640A-3BL
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA表面贴装134-TFBGAYES134Volatile0°C~85°C TATrayDiscontinued3 (168 Hours)134SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM11.2V0.65mm1.3V1.14V1Gb 32M x 321SYNCHRONOUS333MHzDRAMParallel32MX323215ns13b1 Gb多库页面突发11.5mm1.1mmROHS3 Compliant
- DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA表面贴装134-TFBGAYES134Volatile0°C~85°C TATrayDiscontinued3 (168 Hours)134SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM11.2V0.65mm1.3V1.14V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS333MHzDRAMParallel64MX161615ns13b1 Gb多库页面突发11.5mm1.1mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LD16640A-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 134-TFBGA | DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS43LD16640A-25BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 134-TFBGA | DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA | 对比 |


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