IS43TR16256AL-125KBL备选型号: IS43TR16640AL-125JBLI
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 最大电流源
- 密度
- IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA6 Weeks表面贴装96-TFBGAYES96Volatile0°C~95°C TCTray活跃3 (168 Hours)96PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.35VBOTTOM10.8mm4Gb 256M x 161SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel16b256MX161615ns1.45V1.283V13mm1.2mmROHS3 Compliant--
- DRAM 1G, 1.35V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3 SDRAM-表面贴装96-TFBGAYES96Volatile-40°C~95°C TCTrayDiscontinued3 (168 Hours)96AUTO/SELF REFRESH1.35VBOTTOM10.8mm1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel16b64MX161615ns1.45V1.283V13mm1.2mmROHS3 Compliant310mA1 Gb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16128BL-15HBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA | 对比 | |
| IS43TR16640AL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 1G, 1.35V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3 SDRAM | 对比 |


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