IS43TR85120A-15HBL备选型号: MT41K512M8DA-107:P
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- 包装
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- ECCN 代码
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
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- 工作电源电压
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- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
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- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
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- 触点镀层
- 已出版
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 数据总线宽度
- 高度
- 无铅
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TWBGA表面贴装78-TFBGAYES78Volatile0°C~95°C TCTray不用于新设计3 (168 Hours)78EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.361.425V~1.575VBOTTOM11.5V0.8mm781.5V1.575V1.425V4Gb 512M x 81SYNCHRONOUS667MHz20nsDRAMParallel512MX8815ns16b4 Gb10.5mm1.2mmROHS3 Compliant--------
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA表面贴装78-TFBGA-78Volatile0°C~95°C TCTray活跃3 (168 Hours)78EAR99AUTO/SELF REFRESH-1.283V~1.45VBOTTOM11.35V0.8mm-1.35V1.45V1.283V4Gb 512M x 81SYNCHRONOUS933MHz20nsDRAMParallel512MX88-16b4 Gb10.5mm-ROHS3 Compliant表面贴装Copper, Silver, Tin2015未说明未说明8b1.2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16256AL-15HBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s DDR3L | 对比 | |
| IS43TR16256AL-15HBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM | 对比 | |
| IS43TR16256A-15HBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | 4G, 1.5V, Ddr3, 256Mx16, 1333Mt/S @ 9-9-9, 96 Ball Bga (9Mm X13mm) Rohs | 对比 |



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