IS45S16800F-7BLA2备选型号: IS42S16800F-6BLI
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- 工厂交货时间
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- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 筛选水平
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8Mx16 SDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~105°C TATraye1活跃3 (168 Hours)54EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161100mASYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE1614b128 Mb0.002AAEC-Q100COMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant-
- DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)54EAR99-AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161120mASYNCHRONOUS166MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE1614b128 Mb0.002A-COMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | 128M, 3.3V, SDRAM, 8MX16, 143M | 对比 | |
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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