IS46R16160F-6BLA2备选型号: IS42VM16160K-75BLI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- 资历状况
- 电源
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 达到SVHC
- IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA10 Weeks表面贴装60-TFBGAYESVolatile-40°C~105°C TATray活跃3 (168 Hours)60AUTO/SELF REFRESH2.5VBOTTOM未说明11mm未说明R-PBGA-B60256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS166MHz700psDRAMParallel16MX161615ns268435456 bit2.7V2.3V13mm1.2mm8mmROHS3 Compliant-----------
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR12 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.8VBOTTOM-10.8mm--256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel16MX1616--1.95V1.7V8mm1.2mm-ROHS3 Compliant54不合格1.8V16b3-STATE0.00001ACOMMON81921248FP1248无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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