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首页 全部分类 IS61DDP2B41M36A-400M3L vs CY7C1245KV18-400BZC

IS61DDP2B41M36A-400M3L备选型号: CY7C1245KV18-400BZC

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  • 端子表面处理
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  • 基本部件号
  • 组织结构
  • 输出特性
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  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDP2B41M36A-400M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb 400Mhz 1Mx36 DDR IIP Sync SRAM
    12 Weeks
    165-LBGA
    表面贴装
    YES
    165
    800mA
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    未说明
    36Mb 1M x 36
    1
    400MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    36
    18b
    36 Mb
    Synchronous
    36b
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1245KV18-400BZC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
    13 Weeks
    165-LBGA
    表面贴装
    -
    165
    920mA
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    220
    1
    30
    36Mb 1M x 36
    2
    400MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    36
    18b
    36 Mb
    Synchronous
    36b
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    2003
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    1mm
    CY7C1245
    1MX36
    3-STATE
    0.31A
    SEPARATE
    1.7V
    1.9V
    1.7V
    15mm
    1.4mm
    无
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