IS61NVF51236-6.5TQL备选型号: 71T75902S75PFGI
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 最高频率
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 频率
- 温度等级
- 界面
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM Chip Sync Quad 2.5V 18M-Bit 512K x 36 6.5ns 100-Pin TQFP表面贴装100-LQFPYES100Volatile0°C~70°C TATraye3yesObsolete3 (168 Hours)1003A991.B.2.AMatte Tin (Sn) - annealedFLOW-THROUGH ARCHITECTURE8542.32.00.412.5VQUAD未说明10.65mm未说明不合格2.5V18Mb 512K x 366.5nsSRAMParallel512KX363-STATE360.06A18874368 bit133MHzCOMMON2.38V2.625V2.375V20mm1.6mm14mm符合RoHS标准------------------
- 2.5V 1M x 18 ZBT Synchronous 2.5V I/O Flow-through SRAM-TQFP-100100MHz-Bulke3yes活跃3 (168 Hours)100-Matte Tin (Sn) - annealed--2.5VQUAD26010.65mm---2.3MB7.5 ns----------2.625V2.375V20mm-14mm符合RoHS标准8 Weeks表面贴装295mA200585°C-40°C鸥翼100MHzINDUSTRIALParallel120b18 MbSynchronous18b1.4mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61VF51236A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 | |
| IS61VF51236A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 | |
![]() | 71T75902S75PFGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 100-Pin TQFP T/R | 对比 |




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