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首页 全部分类 IS61QDPB42M36A-500B4LI vs IS61NLP25636A-200B3LI

IS61QDPB42M36A-500B4LI备选型号: IS61NLP25636A-200B3LI

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  • 电压 - 供电
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  • 资历状况
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  • 内存大小
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  • 内存接口
  • 组织结构
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  • I/O类型
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  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 端口的数量
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDPB42M36A-500B4LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin LFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    8542.32.00.41
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    不合格
    1.8V
    72Mb 2M x 36
    500MHz
    8.4ns
    SRAM
    Parallel
    2MX36
    3-STATE
    36
    0.36A
    75497472 bit
    SEPARATE
    1.71V
    1.89V
    1.71V
    15mm
    1.4mm
    13mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP25636A-200B3LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    165-TFBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    2 (1 Year)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    -
    3.3V
    BOTTOM
    1
    1mm
    -
    -
    9Mb 256K x 36
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    3-STATE
    36
    0.05A
    -
    COMMON
    -
    -
    3.135V
    15mm
    1.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    280mA
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    40
    4
    18b
    9 Mb
    Synchronous
    36b
    无
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