IS61WV51232BLL-10BLI备选型号: IS42S32400F-6BLI
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 时钟频率
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- SRAM Chip Async Single 3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 90-Pin WBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGAYES90Volatile-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)90Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.65V~3.6VBOTTOM26013.3V0.8mm40903.3V3.6V2.4V16Mb 512K x 32190mASRAMParallel3210ns19b16 MbAsynchronous32b无ROHS3 Compliant----------------
- DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGA-90Volatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)90-3V~3.6VBOTTOM-13.3V0.8mm-903.3V3.6V3V128Mb 4M x 321150mADRAMParallel32-14b128 Mb--无ROHS3 Compliant表面贴装EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.02166MHz5.4ns32b4MX323-STATE0.002ACOMMON40961248FP124813mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K128M8DA-107:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA | 对比 |
| IS42S32400F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32160D-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |



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