IS61WV6416DBLL-10TLI备选型号: IS63WV1288DBLL-10HLI
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
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- 电压 - 供电 (最小值)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 内存宽度
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP28 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile55mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)443VDUAL10.8mm2.5/3.3V1Mb 64K x 161SRAMParallel3-STATE10ns16b1 Mb0.000055ACOMMONAsynchronous16b2V3.6V2.4V1.05mm18.54mm10.29mm无ROHS3 Compliant无铅-
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32-Pin STSOP-I8 Weeks表面贴装32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)YES32Volatile55mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)322.4V~3.6VDUAL-0.5mm2.5/3.3V1Mb 128K x 81SRAMParallel3-STATE10ns17b1 Mb0.000055ACOMMONAsynchronous8b2V-----无ROHS3 Compliant-8
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C31026B-10TCN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | 对比 |
| CY7C1021DV33-10ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021DV33-10ZSXIT SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, TSOP-44 | 对比 | |
| CY7C1021DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, 44TSOP | 对比 |



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