IS61WV6416EEBLL-10TLI备选型号: IS61WV25616EDBLL-10TLI
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 引脚数
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大电流源
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 高度
- 辐射硬化
- 1Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 64K x 16, 2.4V-3.6V (10ns), 44 Pin TSOP II, Leadfree8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)443VDUAL10.8mm不合格2.5/3.3V1Mb 64K x 16SRAMParallel64KX163-STATE1610ns0.004A1048576 bit10 nsCOMMON2V3.6V2.4V18.41mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant--------------
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)443.3VDUAL10.8mm-2.5/3.3V4Mb 256K x 16SRAMParallel-3-STATE-10ns0.006A--COMMON2V3.6V2.4V18.54mm-10.29mmROHS3 Compliant35mAe3yesTIN2601035mA118b4 MbAsynchronous16b1.05mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY7C1021DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, 44TSOP | 对比 | |
| IS61WV12816EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 2Mb, High-Speed, Async with ECC, 128K x 16, 10ns, 2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, Leadfree | 对比 |


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