IS63LV1024L-12BLI备选型号: IS62WV2568BLL-55BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 组织结构
  • 访问时间(最大)
  • 长度
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 1M PARALLEL 36MINIBGA
    表面贴装
    表面贴装
    36-TFBGA
    36
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    36
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3.15V~3.45V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    40
    36
    3.3V
    3.45V
    1Mb 128K x 8
    1
    140mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    12ns
    17b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA
    表面贴装
    表面贴装
    36-TFBGA
    36
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    36
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    40
    36
    3.3V
    3.6V
    2Mb 256K x 8
    1
    15mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    18b
    2 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    1V
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    2.5V
    256KX8
    55 ns
    8mm
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IS61WV5128BLL-10BLI IS61WV5128BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 36-TFBGA IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 对比