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首页 全部分类 IS66WV1M16DBLL-55BLI vs IS62WV2568BLL-55BLI

IS66WV1M16DBLL-55BLI备选型号: IS62WV2568BLL-55BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源电流
  • 组织结构
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WV1M16DBLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 16Mb (1Mx16) 55ns Pseudo SRAM
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    48
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    48
    3.3V
    3.6V
    2.5V
    16Mb 1M x 16
    1
    PSRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    20b
    16 Mb
    55 ns
    COMMON
    8mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62WV2568BLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA
    表面贴装
    36-TFBGA
    -
    36
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    2 (1 Year)
    36
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    36
    3.3V
    3.6V
    2.5V
    2Mb 256K x 8
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    18b
    2 Mb
    55 ns
    COMMON
    8mm
    无
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    表面贴装
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    40
    15mA
    256KX8
    Asynchronous
    8b
    1V
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