IXBK75N170备选型号: FGL40N120ANDTU
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- IGBT类型
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 1700V 200A 1040W TO26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON1.7kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2003e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.04kW未说明未说明IXB*75N1703R-PSFM-T3不合格SingleCOLLECTORStandard1040W电源控制N-CHANNEL3.1V200A1.5 μs1700V277 ns3.1V @ 15V, 75A840 ns350nC580A20V5.5VROHS3 Compliant----------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail4 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube-2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3-500W------Single-Standard-电源控制N-CHANNEL1.2kV64A112 ns1200V45 ns3.2V @ 15V, 40A165 ns220nC160A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin36.756g3.15VEAR998541.29.00.951.2kV64A500W15 ns20ns150°C64ANPT15ns/110ns2.3mJ (on), 1.1mJ (off)29mm20mm5mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXXK100N60B3H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA Variation | IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked | 对比 |
![]() | APT70GR120L | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 对比 |
![]() | APT85GR120L | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |




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