IXDF602SI备选型号: MCP14E6-E/SN
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- 输入类型
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- 信道型
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- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 终端形式
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- 功能数量
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- 基本部件号
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- 最大电源电流
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- 接口IC类型
- 输入偏置电流
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC8 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad88-SOIC-EPLow-Side-55°C~150°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)125°C-40°C4.5V~35V22A235V4.5V60 nsInverting, Non-Inverting15ns15 ns7.5ns 6.5nsIndependent2IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET2A 2AROHS3 Compliant------------------------------
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC9 Weeks-表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Low-Side-40°C~150°C TJTube2006活跃1 (Unlimited)--4.5V~18V22A---65 nsInverting12ns15 ns12ns 15nsIndependent-IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET2A 2AROHS3 CompliantYESe38EAR99Matte Tin (Sn) - annealed699mWDUAL鸥翼260112V40MCP14E681.8mA2A1.8mA65 ns基于半桥的mosfet驱动器10μA0.035 μs2AYES0.04 μs1.25mm4.9mm3.9mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDI602SIATR | IXYS Integrated Circuits Division | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | 对比 | |
| IXDN602SIATR | IXYS Integrated Circuits Division | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | 对比 | |
| IXDI602SIA | IXYS Integrated Circuits Division | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 2-AMPERE DUAL LOW-SIDE ULTRAFA | 对比 |




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