IXDH20N120D1备选型号: IRG4PH40UPBF
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
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- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Td(开/关)@25°C
- 最大下降时间 (tf)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 38A 200W TO247AD20 Weeks通孔通孔TO-3P-3 Full Pack36.500007gSILICON1.2kV2.4V-55°C~150°C TJTube2004yes活跃1 (Unlimited)3LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES200W未说明未说明IXD*20N1203不合格Single200WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV38A40nsTO-247AD1200V175 ns3V @ 15V, 20A570 nsNPT70nC50A3.1mJ (on), 2.4mJ (off)20V6.5V21.46mm16.26mm5.3mmROHS3 Compliant无铅----------
- IGBT 1200V 41A 160W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV2.43V-55°C~150°C TJBulk2000-最后一次购买1 (Unlimited)3低导通损耗160W-----Single160WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL3.1V41A-TO-247AC1200V49 ns3.1V @ 15V, 21A690 ns-86nC82A1.04mJ (on), 3.4mJ (off)20V3V20.3mm15.875mm5.3mmROHS3 Compliant无铅通孔EAR991.2kV41A24 ns18ns24ns/220ns190ns无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC | 对比 |
![]() | IXA20IF1200HB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA20IF1200HBIGBT Single Transistor, 38 A, 2.1 V, 165 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 45A 200W TO247AC | 对比 |





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