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首页 全部分类 IXFB50N80Q2 vs NTY100N10

IXFB50N80Q2备选型号: NTY100N10

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • IXYS
    IXFB50N80Q2
    IXYS
    MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    264
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    890W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 8mA
    7200pF @ 25V
    260nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    13 ns
    50A
    30V
    800V
    200A
    5000 mJ
    26.59mm
    20.29mm
    5.31mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    313W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    -
    240
    30
    3
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    313W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    250 ns
    123A
    20V
    100V
    -
    500 mJ
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    EAR99
    100V
    not_compliant
    123A
    0.01Ohm
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比