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IXFG55N50备选型号: IPW60R070P6XKSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 48A ISO26430 Weeks通孔通孔ISO264™3SILICON48A Tc-40°C~150°C TJTubeHiPerFET™2003yesObsolete1 (Unlimited)3未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET400WDRAINN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 27.5A, 10V4.5V @ 8mA9400pF @ 25V330nC @ 10V60ns±20V45 ns48A20V0.09Ohm500V220A符合RoHS标准--------
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-318 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON53.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008-活跃1 (Unlimited)3未说明未说明---增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING70m Ω @ 20.6A, 10V4.5V @ 1.72mA4750pF @ 100V100nC @ 10V15ns±20V4 ns53.5A30V0.07Ohm-156AROHS3 Compliante3Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE23 ns无卤素600V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 57.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
 | 2SK3132(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3PL | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL | 对比 |
 | FCH072N60F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 52A TO247 | 对比 |
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