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首页 全部分类 IXFH12N100 vs FCH060N80-F155

IXFH12N100备选型号: FCH060N80-F155

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  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管特性
  • IXYS
    IXFH12N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2004
    yes
    不用于新设计
    不适用
    3
    EAR99
    1.05Ohm
    雪崩 额定
    1kV
    12A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.05 Ω @ 6A, 10V
    4.5V @ 4mA
    4000pF @ 25V
    155nC @ 10V
    33ns
    1000V
    ±20V
    32 ns
    12A
    4.5V
    TO-247AD
    20V
    1kV
    48A
    1kV
    4.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH060N80-F155
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH060N80_F155 Power MOSFET, N Channel, 58 A, 800 V, 0.054 ohm, 10 V, 4.5 VNew
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    56A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    60m Ω @ 29A, 10V
    4.5V @ 5.8mA
    14685pF @ 100V
    350nC @ 10V
    -
    800V
    ±20V
    -
    56A
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    超级交界处
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