IXFH12N50F备选型号: IPA50R250CPXKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管特性
- 无铅
- IXYS RF IXFH12N50F RF FET Transistor, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD10 Weeks通孔TO-247-3NO3SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerRF™2001e1yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99400mOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET180WDRAINN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 6A, 10V5.5V @ 2.5mA1870pF @ 25V54nC @ 10V14ns±20V8 ns12A20V500V48A无SVHC符合RoHS标准----------
- Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP-通孔TO-220-3 Full Pack-3SILICON13A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)-未说明未说明3不合格-增强型MOSFET33WISOLATEDN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 7.8A, 10V3.5V @ 520μA1420pF @ 100V36nC @ 10V14ns±20V11 ns13A20V---ROHS3 Compliant通孔SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE35 ns无卤素TO-220AB500V0.25Ohm超级交界处无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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