IXFH12N50F备选型号: IPA50R250CPXKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 底架
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • IXYS
    IXYS RF IXFH12N50F RF FET Transistor, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
    10 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerRF™
    2001
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    400mOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 6A, 10V
    5.5V @ 2.5mA
    1870pF @ 25V
    54nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    8 ns
    12A
    20V
    500V
    48A
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    -
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 7.8A, 10V
    3.5V @ 520μA
    1420pF @ 100V
    36nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    11 ns
    13A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    35 ns
    无卤素
    TO-220AB
    500V
    0.25Ohm
    超级交界处
    无铅
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