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IXFH16N60P3备选型号: TK20N60W5,S1VF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 输入电容
- 最大rds
MOSFET N-CH 600V 16A TO-24724 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2012活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定SINGLE3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING470m Ω @ 500mA, 10V5V @ 1.5mA1830pF @ 25V36nC @ 10V600V±30V16ATO-247AD0.44Ohm40A600V800 mJROHS3 Compliant---
MOSFET N-CH 600V 20A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-3-20A Ta150°C TJTubeDTMOSIV2015活跃1 (Unlimited)--------N-Channel-175mOhm @ 10A, 10V4.5V @ 1mA1800pF @ 300V55nC @ 10V600V±30V20A-----符合RoHS标准TO-2471.8nF175 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | 对比 |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
| TK20N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A | 对比 |
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