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IXFH18N60X备选型号: TK20N60W5,S1VF

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零件状态
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场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
供应商器件包装
输入电容
最大rds

IXFH18N60X

IXYS

MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

19 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
18A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
HiPerFET™
2015
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
230m Ω @ 9A, 10V
4.5V @ 1.5mA
1440pF @ 25V
35nC @ 10V
600V
±30V
18A
ROHS3 Compliant
-
-
-
TK20N60W5,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

16 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
20A Ta
150°C TJ
Tube
DTMOSIV
2015
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
175mOhm @ 10A, 10V
4.5V @ 1mA
1800pF @ 300V
55nC @ 10V
600V
±30V
20A
符合RoHS标准
TO-247
1.8nF
175 mΩ
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