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首页 全部分类 IXFH26N50P3 vs FCH170N60

IXFH26N50P3备选型号: FCH170N60

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFH26N50P3
    IXYS
    MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    26A Tc
    2013
    HiPerFET™, Polar3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    500W
    21 ns
    N-Channel
    230m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 4mA
    2220pF @ 25V
    42nC @ 10V
    500V
    ±30V
    26A
    30V
    5.3mm
    16.26mm
    21.46mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH170N60
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 600V, 170mohm
    12 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    22A Tc
    2014
    SuperFET® II
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    -
    21 ns
    N-Channel
    170m Ω @ 11A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2860pF @ 380V
    55nC @ 10V
    -
    ±20V
    22A
    30V
    4.82mm
    15.87mm
    20.82mm
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    12ns
    3.8 ns
    TO-247AB
    600V
    66A
    525 mJ
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