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首页 全部分类 IXFH36N60P vs STW45NM60

IXFH36N60P备选型号: STW45NM60

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  • 晶体管元件材料
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFH36N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    36A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    650W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 18A, 10V
    5V @ 4mA
    5800pF @ 25V
    102nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    22 ns
    36A
    5V
    TO-247AD
    30V
    0.19Ohm
    600V
    80A
    1500 mJ
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW45NM60
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 45A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    45A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    600V
    -
    45A
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    417W
    -
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 22.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3800pF @ 25V
    134nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    23 ns
    45A
    4V
    TO-247AC
    30V
    -
    600V
    -
    850 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    9.071847g
    110mOhm
    STW45N
    650V
    无
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