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IXFH42N60P3备选型号: STW26NM60N
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 电阻
- 基本部件号
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 42A TO24730 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON42A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2012活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定unknown3不合格Single增强型MOSFET830WDRAIN32 nsN-ChannelSWITCHING185m Ω @ 500mA, 10V5V @ 4mA5150pF @ 25V78nC @ 10V23ns±30V17 ns42A4.5V30V0.185Ohm600V100A21.46mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 600V 20A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON20A Tc150°C TJTubeMDmesh™ II-活跃1 (Unlimited)3EAR99--3-Single增强型MOSFET140W-13 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA1800pF @ 50V60nC @ 10V25ns±30V50 ns20A3V25V-600V80A20.15mm15.75mm5.15mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)Tine3165mOhmSTW26N无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
| STW33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
 | R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 对比 |
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