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首页 全部分类 IXFH52N30P vs HUF75344G3

IXFH52N30P备选型号: HUF75344G3

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFH52N30P
    IXYS
    MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHT™ HiPerFET™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    66m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 4mA
    3490pF @ 25V
    110nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    20 ns
    52A
    20V
    0.066Ohm
    300V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75344G3
    ON Semiconductor
    MOSFET 75a 55V NCh UltraFET
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    285W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    3200pF @ 25V
    210nC @ 20V
    125ns
    ±20V
    57 ns
    75A
    20V
    -
    55V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6.39g
    8MOhm
    55V
    75A
    4V
    4 V
    无SVHC
    无
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