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首页 全部分类 IXFH70N30Q3 vs IPW60R041P6FKSA1

IXFH70N30Q3备选型号: IPW60R041P6FKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXFH70N30Q3
    IXYS
    MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    unknown
    3
    Single
    增强型MOSFET
    830W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 35A, 10V
    6.5V @ 4mA
    4735pF @ 25V
    98nC @ 10V
    250ns
    ±20V
    70A
    TO-247AD
    30V
    0.054Ohm
    300V
    210A
    1500 mJ
    16.26mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R041P6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin TO-247 Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 35.5A, 10V
    4.5V @ 2.96mA
    8180pF @ 100V
    170nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    77.5A
    -
    30V
    0.041Ohm
    -
    267A
    1954 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    5 ns
    600V
    无铅
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