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首页 全部分类 IXFK150N10 vs NTY100N10

IXFK150N10备选型号: NTY100N10

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  • JESD-609代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • IXYS
    IXFK150N10
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    TO-264AA (IXFK)
    150A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2000
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    12mOhm @ 75A, 10V
    4V @ 8mA
    9000pF @ 25V
    360nC @ 10V
    100V
    ±20V
    150A
    9nF
    12 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    313W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    -
    ±20V
    123A
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    3
    SILICON
    e0
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    100V
    240
    not_compliant
    123A
    30
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    313W
    SWITCHING
    150ns
    250 ns
    20V
    0.01Ohm
    100V
    500 mJ
    含铅
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比