IXFK180N07备选型号: MJL0281AG

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • IXYS
    MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    560W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    420nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    55 ns
    180A
    20V
    0.006Ohm
    70V
    720A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 260V 15A TO-264
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    1
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    3
    Single
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    e3
    Tin (Sn)
    260V
    180W
    未说明
    15A
    未说明
    不合格
    30MHz
    NPN
    NPN
    1V
    15A
    75 @ 3A 5V
    10μA ICBO
    1V @ 500mA, 5A
    30MHz
    260V
    5V
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