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首页 全部分类 IXFK50N50 vs NTY100N10G

IXFK50N50备选型号: NTY100N10G

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFK50N50
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    100MOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    560W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    330nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    50A
    20V
    500V
    200A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    123A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    260
    40
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    313W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    250 ns
    123A
    20V
    100V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    123A
    0.01Ohm
    500 mJ
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