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首页 全部分类 IXFK520N075T2 vs NTY100N10G

IXFK520N075T2备选型号: NTY100N10G

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  • 资历状况
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXFK520N075T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 75V 520A TO-264
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    520A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, TrenchT2™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 100A, 10V
    5V @ 8mA
    41000pF @ 25V
    545nC @ 10V
    75V
    ±20V
    520A
    0.0022Ohm
    1350A
    75V
    3000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    123A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    260
    40
    3
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    -
    ±20V
    123A
    0.01Ohm
    -
    -
    500 mJ
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    3
    100V
    123A
    Single
    313W
    150ns
    250 ns
    20V
    100V
    无铅
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