IXFL44N60备选型号: FDA50N50

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXYS IXFL44N60 N-channel MOSFET Transistor, 41 A, 600 V, 3-Pin ISOPLUS264
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    264
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    ISOLATED
    42 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 22A, 10V
    4.5V @ 8mA
    8900pF @ 25V
    330nC @ 10V
    55ns
    ±20V
    45 ns
    41A
    20V
    0.13Ohm
    600V
    176A
    3000 mJ
    26.42mm
    20.29mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    625W
    -
    105 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 24A, 10V
    5V @ 250μA
    6460pF @ 25V
    137nC @ 10V
    360ns
    ±20V
    230 ns
    48A
    20V
    -
    500V
    -
    -
    19.9mm
    15.6mm
    4.8mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    17 Weeks
    6.401g
    EAR99
    500V
    48A
    5V
    无SVHC
    无铅
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