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首页 全部分类 IXFL44N80 vs SPW47N65C3FKSA1

IXFL44N80备选型号: SPW47N65C3FKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 配置
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXFL44N80
    IXYS
    IXYS IXFL44N80 N-channel MOSFET Transistor, 44 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS264
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    264
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    550W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 8mA
    10000pF @ 25V
    380nC @ 10V
    48ns
    ±20V
    24 ns
    44A
    20V
    0.165Ohm
    800V
    176A
    4000 mJ
    26.42mm
    20.29mm
    5.21mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW47N65C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    415W
    -
    100 ns
    N-Channel
    -
    70m Ω @ 30A, 10V
    3.9V @ 2.7mA
    7000pF @ 25V
    255nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    14 ns
    47A
    20V
    0.07Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    TO-247AD
    650V
    无铅
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